<xmp id="4iwcg"><nav id="4iwcg"></nav><optgroup id="4iwcg"><code id="4iwcg"></code></optgroup>
  • <center id="4iwcg"></center>
    <menu id="4iwcg"><tt id="4iwcg"></tt></menu>
    <menu id="4iwcg"><code id="4iwcg"></code></menu>
  • <menu id="4iwcg"><strong id="4iwcg"></strong></menu>
    <optgroup id="4iwcg"></optgroup>
    <nav id="4iwcg"></nav>
    <dd id="4iwcg"></dd>
    <xmp id="4iwcg">
    <nav id="4iwcg"><strong id="4iwcg"></strong></nav>
    <xmp id="4iwcg"><nav id="4iwcg"></nav>

    Diodes 公司的新系列高側/低側閘極驅動器采用 SO-8 封裝以提供更高效能

    Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 為領先業界的高質量應用特定標準產品全球制造商與供貨商,產品涵蓋廣泛領域,包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場。

    公司推出全新系列的高電壓、高速閘極驅動器,適用于轉換器、變頻器、馬達控制,以及 D 類功率放大器等應用。

    上述裝置適用于最高 100V 的馬達驅動應用,同時可支持以 200V 運作的功率轉換及反轉應用。

    這些功能使其非常適用于各種消費性與工業設計,包括電動工具、機器人與無人機,以及小型電動車。

    DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 為涵蓋半橋與高側/低側拓撲的 200V 閘極驅動器,并采用標準低矮型 SO-8 封裝。

    這些裝置具有接面隔離位準偏移技術,可建立浮動信道高側驅動器,用于以最高 200V 運作的自舉式拓撲,并可驅動使用半橋組態的兩個 N 通道 MOSFET。

    此系列中的所有裝置皆具備包含 Schmitt 觸發的標準 TTL/CMOS 邏輯輸入,最低能以 3.3V 運作,因此很容易將驅動器連接至控制電路。

    其輸出的設計可承受負瞬態,并包含適用于高側與低側驅動器的欠壓鎖定。

    DGD2003S8 與 DGD2005S8 分別具有 290mA 與 600mA 的源極與汲極電流,DGD2012S8 則為 1.9A 與 2.3A,在其范圍內皆可維持功率效率。

    DGD2003S8 具有固定的 420ns 內部停滯時間,而 DGD2005S8 在高側與低側之間切換時,最大傳播時間為 30ns。

    DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 皆提供 SO-8 封裝,并可在 -40°C 至 +125°C 的寬廣溫度范圍中運作。


    客服
    分享
    電話
    服務電話:
    TOP
    深圳市捷比信實業有限公司?湯經理?歡迎您的咨詢 深圳市捷比信實業有限公司?湯經理?歡迎您的咨詢
    服務電話
    聯系我們

      深圳市捷比信實業有限公司?湯經理?歡迎您的咨詢

    蜜桃视频