孔板上完成了許多硬件工程師的項目，但是存在不小心連接電源正負極的現象，導致許多電子元件被燒毀，甚至整塊板都報廢了，另外需要焊接。
，我不知道是否有什么好方法可以解決？首先，粗心是不可避免的。
盡管我們僅區分正極線和負極線，一根紅色和一根黑色，但我們可以將其連接一次，而不會犯錯；如果將電線連接10次但1000次，我們不會犯錯嗎？一萬左右目前很難說。
由于我們的粗心，一些電子元件和芯片被燒毀了。
主要原因是組件由于過大的電流而損壞。
因此，必須采取措施防止反向連接。
通常，有幾種常用的方法：01二極管串聯防反向連接保護電路將正向二極管與正電源的輸入端子串聯，以充分利用二極管的正向導電和反向特性隔斷。
通常情況下，二極管導通，電路板工作。
電源反接時，二極管截止，電源無法形成環路，電路板也無法工作，可以有效防止電源反接的問題。
02整流橋式防反接保護電路使用整流橋將電源輸入改為無極性輸入，無論電源是連接還是反接，電路板均可正常工作。
上面使用二極管進行抗反向處理。
如果硅二極管的電壓降約為0.6-0.8V，則鍺二極管的電壓降也約為0.2-0.4V。
如果電壓降太大，則可以使用MOS管進行抗反向處理。
MOS管的壓降非常小，高達幾毫歐，并且壓降幾乎可以忽略不計。
03 MOS管防反向保護電路MOS管由于工藝改進，自身性質等因素的影響，其導通內阻技術學校很多都處于毫歐級甚至更小，因此電壓電路引起的壓降和功耗特別小。
，甚至可以忽略，因此，建議使用MOS管保護電路。
（1）NMOS保護如下圖所示：上電時，MOS管的寄生二極管導通，系統形成環路。
源極S的電勢約為0.6V，柵極G的電勢為Vbat，MOS管的導通電壓極高：Ugs = Vbat-Vs，柵極顯示為高電平， NMOS的ds導通，寄生二極管短路，系統通過NMOS的ds連接以形成環路。
如果電源反向連接，則NMOS的導通電壓為0，NMOS截止，寄生二極管反向，電路斷開，從而形成保護。
（2）PMOS保護如下圖所示：上電時，MOS管的寄生二極管導通，系統形成環路。
源極S的電勢約為Vbat-0.6V，柵極G的電勢為0，MOS管的導通電壓極高：Ugs = 0-（Vbat-0.6），柵極顯示為低電平時，PMOS的ds導通，寄生二極管短路，系統通過PMOS的ds形成環路。
如果電源反向連接，則NMOS的導通電壓大于0，PMOS截止，寄生二極管反向，電路斷開，從而形成保護。
注意：NMOS管ds連接到負極，PMOS管ds連接到陽極。
寄生二極管的方向朝向正確連接的電流方向。
MOS管D極和S極的連接：使用N溝道MOS管時，電流通常從D極進入并從S極流出，PMOS為S in和D out。
在本電路中使用時恰到好處。
相反，通過寄生二極管的導通，滿足了MOS管導通的電壓條件。
只要在G極和S極之間建立適當的電壓，MOS管就將完全導通。
接通后，就好像D和S之間的開關閉合，電流從D到S或從S到D都是相同的電阻。
在實際應用中，G極通常與一個電阻串聯。
為了防止MOS管損壞，還可以添加一個齊納二極管。
與分壓器并聯的電容器具有軟啟動功能。
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