賓夕法尼亞州賓夕法尼亞州，2020年10月27日，幾天前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布推出新的40 V n溝道MOSFET半橋功率級-SiZ240DT，可用于改善白色家電和工業，醫療和通信應用。
功率密度和效率。
Vishay Siliconix SiZ240DT在小型PowerPAIR＆amp; reg;中集成了高端和低端MOSFET。
3.3 mm x 3.3 mm單片封裝導通電阻和導通電阻與柵極電荷的乘積是功率轉換應用中MOSFET的重要品質因數（FOM）。
）達到行業的優秀水平。
兩個TrenchFET＆reg; SiZ240DT中的MOSFET內部以半橋配置連接。
SiZ240DT的通道1 MOSFET通常用作同步降壓轉換器的控制開關。
最大導通電阻在10 V時為8.05mΩ，在4.5 V時為12.25mΩ。
通道2 MOSFET通常用作同步開關，在10 V時導通電阻為8.41mΩ，在4.5 V時導通電阻為13.30mΩ。
這些值比下一個競爭對手低16％。
結合6.9 nC（通道1）和6.5 nC（通道2）的低柵極電荷，導通電阻和柵極電荷乘積FOM比排名第二的器件低14％，從而有助于提高快速開關應用的效率。
日前發布的雙MOSFET比采用6 mm x 5 mm封裝的雙器件小65％，是目前市場上最小的集成產品之一。
除了用于同步降壓，DC / DC轉換半橋功率級之外，新器件還為設計人員提供了節省空間的解決方案，適用于真空吸塵器，無人機，電動工具，家庭/辦公室自動化和非工廠用于嵌入式醫療設備的電機控制，以及用于電信設備和服務器的無線充電器和開關電源。
集成MOSFET使用無線內部結構來最大程度地減少寄生電感，以實現高頻開關，從而減小磁性器件的尺寸和最終設計。
其優化的Qgd / Qgs比降低了噪聲，并進一步增強了器件的開關特性。
SiZ240DT經過Rg和UIS的100％測試，符合RoHS要求且不含鹵素。
新型雙MOSFET的樣品現已提供，并已實現量產。
批量訂單的交貨時間為12周。
在線客服